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질화갈륨(GaN) 기판
제품정보
질화갈륨(GaN)은 밴드갭이 넓은 3세대 반도체 재료로 밴드갭이 크고 열전도율이 높으며 전자의 포화이동률이 높고 항복전계가 높은 특성이 있다. GaN 장치는 LED 에너지 절약 조명, 레이저 프로젝션 디스플레이, 신에너지 차량, 스마트 그리드 및 5G 통신과 같은 고주파, 고속 및 고전력 수요 분야에서 널리 사용됩니다.
우리회사는 2~4인치 질화갈륨(GaN) 단결정 기판 또는 에피택셜 웨이퍼와 사파이어/실리콘 기반 2~8인치 GaN 에피택시 웨이퍼를 제공할 수 있습니다.
| Item | GaN-FS-C-U-C50 | GaN-FS-C-N-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| Diameter | 50.8 ± 1 mm | ||
| Thickness | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation | C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ± 0.15° | ||
| Prime Flat | (1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm | ||
| Second Flat | (11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm | ||
| Type | N-type | N-type | Semi-Insulating |
| Resisivity | ＜ 0.1 Ω·cm | ＜ 0.05 Ω·cm | ＞ 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 15 μm | ||
| BOW | ≤ 20 μm | ||
| Ga Face Surface Roughness | < 0.2 nm (polished) | ||
| N Face Surface Roughness | 0.5～1.5 μm | ||
| Ga Surface Roughness | or < 0.3 nm (polished and surface treatment for epitaxy) | ||
N Surface Roughness | option: 1~3 nm (fine ground); < 0.2 nm (polished) | ||
| Dislocation Density | From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 (calculated by CL) | ||
Defect Density | ＜ 2 cm-2 | ||
| Usable Area | ＞ 90% (edge and macro defects exclusion) | ||
