氮化硅导热基板
氮化硅导热基板在LED、微电子焊接等多领域技术，功率型发射器、光伏器件，IGBT模块，半导体封装载板等大功率光电及半导体器件领域有广泛用途。
现有绝缘层基本上是使用氮化硅材料。通过使绝缘层吸收此热膨胀率，而解决、降低焊接裂纹的问题，并提高散热性。
| 产品项目 | 规格标准 |
| 基板尺寸 | 114×114×0.32 mm. |
| 表面粗糙度 | ≤0.8 Ra |
| 体积密度 | 3.20 ± 0.05 g/cm3 |
| 弹性模量 | 300～320 Gpa |
| 泊松比 | ≤0.29 |
| 维氏硬度 | ≥14.2 Gpa |
| 热膨胀系数 （室温～500℃） | 3.0～3.2 (10-6/℃) |
| 断裂韧性 | 6.0～7.0 MPa |
抗弯强度 (三点弯曲） | 700～800 Mpa |
| 热导率(25℃) | ≥85 W/(m•k) |
