氧化膜硅片


富乐达科技提供2~12英寸高质量的热氧化硅片,选用优质、无缺陷的产品级硅片作为基底来生长高均匀性的热氧化层。以满足超越客户期望的性能。采用常规热氧化工艺后,

硅片的双面均有氧化层;如果只需单面氧化层,我们可采用研磨的办法去除一面氧化层而仅保留单面氧化层供货。

 氧化工艺 湿法氧化/干法氧化
 硅片直径 1″ / 2″ /  3″ /  4″ /  6″ /  8″ /  12″英寸
 氧化层厚度 4 5 6 inch/100mm 125mm 150mm
 厚度 100 Å ~ 15µm/10nm~15µm
 公差范围 +/- 5%
 表面 单面氧化/双面氧化
 氧化炉类型 水平管式炉
 气体类型 氢氧混合气体
 氧化温度 900 ~ 1200 摄氏度
















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