氧化膜硅片
富乐达科技提供2~12英寸高质量的热氧化硅片,选用优质、无缺陷的产品级硅片作为基底来生长高均匀性的热氧化层。以满足超越客户期望的性能。采用常规热氧化工艺后,
硅片的双面均有氧化层;如果只需单面氧化层,我们可采用研磨的办法去除一面氧化层而仅保留单面氧化层供货。
氧化工艺 | 湿法氧化/干法氧化 |
硅片直径 | 1″ / 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″英寸 |
氧化层厚度 | 4 5 6 inch/100mm 125mm 150mm |
厚度 | 100 Å ~ 15µm/10nm~15µm |
公差范围 | +/- 5% |
表面 | 单面氧化/双面氧化 |
氧化炉类型 | 水平管式炉 |
气体类型 | 氢氧混合气体 |
氧化温度 | 900 ~ 1200 摄氏度 |