砷化镓(GaAs)基板
砷化镓基板主要用于电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。
富乐达可以提供2~8英寸高纯氮化镓衬底基板。
| 生长方式 | VGF | ||
| 型号 | S-C-N | ||
| 直径 | 100±0.25mm | ||
| 掺杂 | GaAs-Si | ||
| 晶向 | (100)15°士0.5° off toward | ||
| 定位边 | EJ [ 0-1-1]土0.5°/32.5±1 | ||
| Ingot CC | Min: 0.7E18/cm3 | Max: 3.2E18/cm3 | |
| 电阻 | Min: 1.2E-3 Ω·cm | Max: 8.9E-3 Ω·cm | |
| Mobility | Min: 1628 cm2/v.s | Max: 2642 cm2/v.s | |
| EPD | Max: 5000 / cm2 | ||
| Edge Rounding | 0.25 mmR | ||
| Thickness | 350±25 μm | ||
| TTV/TIR | Max: 10 μm | ||
| BOW | Max: 10 μm | ||
| Warp | Max: 10 μm | ||
| 正面 | Polished | ||
| 背面 | Etched | ||
| 颗粒度 | <50 (size> 0.3μm，Count/wafer) | ||
| Epi-Ready | Yes | ||
