氮化镓(GaN)基板
氮化镓(GaN)属于宽禁带宽度的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、高击穿电场突出特性。GaN器件在LED节能照明、激光投影显示、新能源汽车、智能电网、5G通信等高频、高速、大功率需求领域有广泛的应用。
富乐达科技可提供2~4寸氮化镓(GaN)单晶衬底片或外延片，以及提供蓝宝石/硅基2~8寸的GaN外延片。
| 产品 | GaN-FS-C-U-C50 | GaN-FS-C-N-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| 直径 | 50.8 ± 1 mm | ||
| 厚度 | 350 ± 25 μm | ||
| 晶向 | C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ± 0.15° | ||
| 主定位边 | (1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm | ||
| 次定位边 | (11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm | ||
| 导电性 | N-type | N-type | Semi-Insulating |
| 电阻率 | ＜ 0.1 Ω·cm | ＜ 0.05 Ω·cm | ＞ 106 Ω·cm |
| 平整度/TTV | ≤ 15 μm | ||
| 弯曲度/BOW | ≤ 20 μm | ||
| Ga Face Surface Roughness | < 0.2 nm (polished) | ||
| N Face Surface Roughness | 0.5～1.5 μm | ||
| Ga面粗糙度 | or < 0.3 nm (polished and surface treatment for epitaxy) | ||
| N面粗糙度 | option: 1~3 nm (fine ground); < 0.2 nm (polished) | ||
| 位错密度 | From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 (calculated by CL) | ||
| 缺陷密度 | ＜ 2 cm-2 | ||
| 有效面积 | ＞ 90% (edge and macro defects exclusion) | ||
