碳化硅(SiC)基板
碳化硅基板主要应用于IGBT、5G、大功率器件、光电、电动汽车等领域，碳化硅由于其优良的性能而可能取代硅作芯片。
我公司可以提供2~6英寸的测试级，工业级和精选级碳化硅基板，产品来自美国Cree、日本昭和电工以及中国的天科合达等企业，同时还可以提供碳化硅外延（EPI）加工服务.
| 等级 | 工业级（P级） | 测试级（D级） |
| 尺寸/直径 | 6英寸/150mm±0.2 | |
| 厚度 | 4H-N:350um±25 | |
| 4H-SI:500um±25 | ||
| 晶向 | Off axis : 4.0° toward <1120>±0.5° for 4H-N | |
| 微管密度 | 4H-N: ≤2 cm-2 | ≤15 cm-2 |
| 4H-SI: ≤5cm-2 | ≤15 cm-2 | |
| 电阻率 | 4H-N: 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm |
| 4H-SI:≥1E5 Ω·cm | ||
| 主定位边方向 | {10-10}±5.0° | |
| 主定位边长度 | 4H-N: 47.5 mm±2.0 mm | |
| 4H-SI: Notch | ||
| 边缘 | 3 mm | |
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | |
| 表面粗糙度 | Polish Ra≤1 nm | |
CMP Ra≤0.5 nm | ||
六方空洞（强光灯观测）* | Cumulative area ≤0.05% | Cumulative area ≤0.1% |
崩边 | None | 5 allowed, ≤1 mm each |
划痕(强光灯观测) | None | Cumulative length≤1×wafer diameter |
表面污染物 | None | |
| 裂纹 | None | Cumulative |
