半导体晶圆切割片

我们可以提供半导体抛光片、氧化膜切割产品,切割方法有刀片、激光切割.

根据客户的需求可以切割不同尺寸的硅片,如30×30mm,50×50mm,etc.


 生长方式 直拉(CZ)、区熔(FZ)
 等级 Prime,Test,Dummy,etc.
 尺寸3×3mm,5×5mm,10×10mm,10×20mm,50×50mm etc.
 厚度 50~3000um
 表面处理 抛光,氧化膜 etc.
 晶向 (100)(111)(110)(211),etc.
 掺杂类型 N型(掺磷、砷、锑) P型(掺硼)无掺杂
 电阻 CZ/MCZ:From 0.001 to 1000 ohm-cm
 薄膜 PVD:Al,Cu,Cr,Si,Ni,Fe,Mo.etc,
 PECBD:Oxide,Nitride,SiC,etc
 切割方法 刀片或激光切割.