SOI片


SOI晶圆是一种夹层式结构，一共有三层；包括顶层（器件层），中间的埋氧层（为绝缘SiO2层）和底层的衬底（体硅）。 SOI晶圆采用SIMOX法和晶圆键合技术生产而成，从而可以实现更薄更精确的器件层，均匀的厚度均匀和缺陷密度低等目标。SOI晶圆为高速和低功耗器件提供了良好的解决方案，被广泛认为是高压和RF器件的新解决方案。  

富乐达科技可提供直径为2″、3″、4″、5″、6″和8″的SOI晶圆，可选择的宽阔电阻率范围0.001~100,000 ohm-cm，从100nm(1000Å)~300um的宽范围器件层厚度产品，适合MEMS，功率器件，压力传感器和CMOS集成电路制造的广泛应用。 

    

   

         

 项目                参数                
基本参数                晶圆尺寸                50/75/100/125/150/200mm±25um                
定位边/定位槽                  Flat or Notch                
器件层                 器件层类型                  N-Type/P-Type                
掺杂                B/ P/ Sb / A                
器件层晶向                 100/110/111                
器件层厚度                  0.1~300um                
器件层电阻                0.001~100,000ohm-cm                
器件层颗粒度                <30ea@0.3                
器件层TTV                 <10um                
器件层表面                  Polished                
BOX                埋氧层厚度                  50nm(500Å)~15um                
衬底层                  衬底层类型                N-Type/P-Type                
衬底层掺杂                B/ P/ Sb / As                
衬底层晶向                100/110/111                
衬底层电阻                 0.001~100,000ohm-cm                
衬底层厚度                >100um                
衬底层表面                Polished