氮化膜硅片
氮化膜(SIN)硅片可以提高单晶强度，防止硅片曲翘，并可以抑制微缺陷形成。
用于半导体光刻，纳米压印，PVD/CVD镀膜，MEMS，半导体器件等领域。
| 氮化工艺 | PRCVD / PECVD |
| 硅片直径 | 1″ / 2″ / 3″ / 4″ / 6″ 英寸 |
| 硅片类型 | N型 / P型 / 本征 |
| 硅片电阻 | CZ/MCZ:From 0.001 to 1000 ohm-cm FZ:up to 20k ohm-cm |
| 硅片厚度 | 50~3000um |
| 氮化层厚度 | 50~1000nm |
| 表面加工 | 单面氮化 / 双面氮化 |
