磷化铟片
磷化铟(InP)是重要的III-V族化合物半导体材料之一，是继Si、GaAs之后的新一代电子功能材料
InP作为衬底材料主要有以下应用途径:光电器件,包括光源(LED、LD)和探测器(PD、 APD 雪崩光电探测器)等, 主要用于光纤通信系统。
集成激光器、光探测器和放大器等的光电集成电路(OEIC)是新一代 40Gb/s通信系统必不可少的部件，可以有效提升器件可靠性和减小器件 的尺寸。
| 型号 | 半绝缘 | N-Type | P-Type | 无掺杂 |
| 掺杂 | Fe | S / Sn | Zn | Undoped |
| 长晶方式 | VGF | |||
| 直径 | 2", 3", 4", 6" inch | |||
| 晶向 | (100)±0.5° | |||
| 厚度 | 350-675um ±25um | |||
| 定位边 | US / EJ | |||
| 载流子浓度 | N/A | (0.8-8)E18 | (0.8-8)E18 | (1-10)E15 |
| 电阻率 (ohm-cm) | >0.5*10^7 | N/A | N/A | N/A |
| 电子迁移率(cm2/V.S.) | >1000 | 1000-2500 | 50-100 | 3000-5000 |
| 位错密度(/cm2) | <5000 | <5000 | <500 | <500 |
| 平整度 | ≤ 10 μm | |||
| 弯曲度 | ≤ 15 μm | |||
| 表面加工 | P/P, P/E, E/E | |||
