인화인듐 시트
인화인듐(InP)은 중요한 III-V족 화합물 반도체 재료 중 하나로 Si 및 GaAs에 이어 차세대 전자 기능 재료입니다.
기판 재료로서 InP는 주로 광원(LED, LD) 및 검출기(PD, APD 애벌랜치 광검출기) 등을 포함한 광전자 장치의 용도를 가지며 주로 광섬유 통신 시스템에 사용됩니다.
레이저, 광검출기 및 증폭기를 통합하는 광전자 집적 회로(OEIC)는 장치 신뢰성을 효과적으로 개선하고 장치 크기를 줄일 수 있는 차세대 40Gb/s 통신 시스템의 필수 구성요소입니다.
| Type | Semi-insulated | N-Type | P-Type | No-Dope |
| Dopant | Fe | S / Sn | Zn | Undoped |
| Method | VGF | |||
| Diameter | 2", 3", 4", 6" inch | |||
| Orientation | (100)±0.5° | |||
| Thinkness | 350-675um ±25um | |||
| Flat | US / EJ | |||
| Carrier concentration | N/A | (0.8-8)E18 | (0.8-8)E18 | (1-10)E15 |
| Resisivity(ohm-cm) | >0.5*10^7 | N/A | N/A | N/A |
| Electron mobility(cm2/V.S.) | >1000 | 1000-2500 | 50-100 | 3000-5000 |
| Dislocationdensity(/cm2) | <5000 | <5000 | <500 | <500 |
| TTV | ≤ 10 μm | |||
| Warp | ≤ 15 μm | |||
| Surface | P/P, P/E, E/E | |||
