산화막 실리콘 웨이퍼
풀러다테크놀로지는 2~12인치의 고품질 열산화실리콘 웨이퍼를 제공하며, 고품질의 무결점 제품 등급 실리콘 웨이퍼를 기판으로 선택하여 매우 균일한 열산화층을 성장시킵니다. 고객의 기대 이상의 성능을 충족합니다.
실리콘 웨이퍼의 양면에 산화물 층이 있으며 단면 산화물 층이 필요한 경우 연마를 사용하여 단면 산화물 층을 제거하고 단면 산화물 층만 유지하여 공급할 수 있습니다.
| Oxidation Technique | Wet oxidation or Dry oxidation |
| Size | 1″ / 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ inch |
| Diameter | 4 5 6 inch/100mm 125mm 150mm |
| Oxide Thickness | 100 Å ~ 15µm/10nm~15µm |
| Tolerance | +/- 5% |
| Surface | Single Side Oxidation(SSO) / Double Sides Oxidation(DSO) |
| Furnace | Horizontal tube furnace |
| Gas | Hydrogen and Oxygen gas |
| Temperature | 900℃ ~ 1200 ℃ |
