SOIウェハーは、最上層（デバイス層）、中間の酸化物層（絶縁SiO2層）、最下部の基板（ハンドル シリコン）の合計3層の構造です。SIMOX法とウェーハボンディング技術を使用して製造されます。より薄く、より正確なデバイス層、均一な厚さ、および低い欠陥密度を実現できます。 

SOIウェーハは、高速および低電力デバイス向けの優れたソリューションを提供し、高電圧およびRFデバイス向けの新しいソリューションとして広く認識されています。

フレダ テクノロジーは、直径2インチ、3インチ、4インチ、5インチ、6インチ、8インチのSOIウェハーを提供できます。抵抗率の範囲は、0.001〜100,000 ohm-cm、100nm（1000Å）〜300umから選択できます。 MEMS、パワーデバイス、圧力センサー、CMOS集積回路の製造などの分野に応用されます。