ガリウムナイトライド(GaN)基板
窒化ガリウム（GaN）は、バンドギャップが広い第3世代の半導体材料であり、バンドギャップが大きく、熱伝導率が高く、電子の飽和移動速度が速いなど優れた特性を備えています。 GaNデバイスは、LED省エネ照明、レーザープロジェクションディスプレイ、電気自動車、スマートグリッド、5G通信など、高周波、高速、高電力の需要分野で広く使用されています。
フレダ テクノロジーは、2〜4インチのサファイアやシリコンベースのガリウムナイトライド（GaN）基板またはエピタキシャル加工を提供できます。
| アイテム | GaN-FS-C-U-C50 | GaN-FS-C-N-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| 直径 | 50.8 ± 1 mm | ||
| 厚み | 350 ± 25 μm | ||
| 結晶方位 | C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ± 0.15° | ||
| 主オリフラ | (1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm | ||
| 副オリフラ | (11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm | ||
| 導電タイプ | N-type | N-type | Semi-Insulating |
| 抵抗率 | ＜ 0.1 Ω·cm | ＜ 0.05 Ω·cm | ＞ 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 15 μm | ||
| BOW | ≤ 20 μm | ||
| Ga Face Surface Roughness | < 0.2 nm (polished) | ||
| N Face Surface Roughness | 0.5～1.5 μm | ||
| Ga面粗さ | or < 0.3 nm (polished and surface treatment for epitaxy) | ||
| N面粗さ | option: 1~3 nm (fine ground); < 0.2 nm (polished) | ||
| 転位密度 | From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 (calculated by CL) | ||
| 欠陥密度 | ＜ 2 cm-2 | ||
| 有効面積 | ＞ 90% (edge and macro defects exclusion) | ||
